స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యాల కోసం మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ సూత్రాలు

చాలా మంది వినియోగదారులు స్పుట్టరింగ్ టార్గెట్ యొక్క ఉత్పత్తి గురించి తప్పక విని ఉంటారు, కానీ లక్ష్యాన్ని స్పుట్టరింగ్ చేసే సూత్రం సాపేక్షంగా తెలియదు.ఇప్పుడు, యొక్క ఎడిటర్రిచ్ స్పెషల్ మెటీరియల్ (RSM) స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ సూత్రాలను పంచుకుంటుంది.

స్పుటర్డ్ టార్గెట్ ఎలక్ట్రోడ్ (కాథోడ్) మరియు యానోడ్ మధ్య ఆర్తోగోనల్ అయస్కాంత క్షేత్రం మరియు విద్యుత్ క్షేత్రం జోడించబడతాయి, అవసరమైన జడ వాయువు (సాధారణంగా ఆర్ గ్యాస్) అధిక వాక్యూమ్ చాంబర్‌లో నింపబడుతుంది, శాశ్వత అయస్కాంతం 250 ~ 350 గాస్ అయస్కాంత క్షేత్రాన్ని ఏర్పరుస్తుంది. లక్ష్య డేటా యొక్క ఉపరితలం మరియు అధిక-వోల్టేజ్ విద్యుత్ క్షేత్రంతో ఆర్తోగోనల్ విద్యుదయస్కాంత క్షేత్రం ఏర్పడుతుంది.

విద్యుత్ క్షేత్రం ప్రభావంతో, ఆర్ వాయువు సానుకూల అయాన్లు మరియు ఎలక్ట్రాన్లుగా అయనీకరణం చెందుతుంది.లక్ష్యానికి నిర్దిష్ట ప్రతికూల అధిక వోల్టేజ్ జోడించబడుతుంది.లక్ష్య ధ్రువం నుండి విడుదలయ్యే ఎలక్ట్రాన్లపై అయస్కాంత క్షేత్రం ప్రభావం మరియు పని చేసే వాయువు యొక్క అయనీకరణ సంభావ్యత పెరుగుతుంది, కాథోడ్ దగ్గర అధిక సాంద్రత కలిగిన ప్లాస్మా ఏర్పడుతుంది.లోరెంజ్ ఫోర్స్ ప్రభావంతో, Ar అయాన్లు లక్ష్య ఉపరితలానికి వేగవంతం అవుతాయి మరియు లక్ష్య ఉపరితలంపై చాలా ఎక్కువ వేగంతో బాంబు దాడి చేస్తాయి, లక్ష్యంపై చిమ్మిన పరమాణువులు మొమెంటం మార్పిడి సూత్రాన్ని అనుసరిస్తాయి మరియు లక్ష్య ఉపరితలం నుండి అధిక గతి శక్తితో ఉపరితలానికి ఎగురుతాయి. చిత్రాలను డిపాజిట్ చేయడానికి.

మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ సాధారణంగా రెండు రకాలుగా విభజించబడింది: ట్రిబ్యూటరీ స్పుట్టరింగ్ మరియు RF స్పుట్టరింగ్.ఉపనది స్పుట్టరింగ్ పరికరాల సూత్రం చాలా సులభం, మరియు మెటల్ స్పుట్టరింగ్ చేసేటప్పుడు దాని రేటు కూడా వేగంగా ఉంటుంది.RF స్పుట్టరింగ్ విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.వాహక పదార్థాలను చల్లడంతోపాటు, ఇది వాహక రహిత పదార్థాలను కూడా చల్లవచ్చు.అదే సమయంలో, ఇది ఆక్సైడ్లు, నైట్రైడ్లు, కార్బైడ్లు మరియు ఇతర సమ్మేళనాల పదార్థాలను సిద్ధం చేయడానికి రియాక్టివ్ స్పుట్టరింగ్‌ను కూడా నిర్వహిస్తుంది.RF ఫ్రీక్వెన్సీ పెరిగితే, అది మైక్రోవేవ్ ప్లాస్మా స్పుట్టరింగ్ అవుతుంది.ఇప్పుడు, ఎలక్ట్రాన్ సైక్లోట్రాన్ రెసొనెన్స్ (ECR) మైక్రోవేవ్ ప్లాస్మా స్పుట్టరింగ్ సాధారణంగా ఉపయోగించబడుతుంది.