మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క లక్షణ అవసరాలు

ఇటీవల, చాలా మంది స్నేహితులు మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యాల లక్షణాల గురించి అడిగారు.ఎలక్ట్రానిక్ పరిశ్రమలో, స్పుట్టరింగ్ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడానికి మరియు డిపాజిటెడ్ ఫిల్మ్‌ల నాణ్యతను నిర్ధారించడానికి, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యాల లక్షణాల కోసం అవసరాలు ఏమిటి?ఇప్పుడు RSM నుండి సాంకేతిక నిపుణులు దానిని మాకు వివరిస్తారు.

　　1. స్వచ్ఛత

అధిక స్వచ్ఛత అనేది మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క ప్రాథమిక లక్షణం.మాలిబ్డినం లక్ష్యం యొక్క స్వచ్ఛత ఎక్కువ, స్పుటర్డ్ ఫిల్మ్ యొక్క పనితీరు మెరుగ్గా ఉంటుంది.సాధారణంగా, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క స్వచ్ఛత కనీసం 99.95% ఉండాలి (ద్రవ్య భిన్నం, దిగువన అదే).అయినప్పటికీ, LCD పరిశ్రమలో గ్లాస్ సబ్‌స్ట్రేట్ పరిమాణం యొక్క నిరంతర అభివృద్ధితో, వైరింగ్ యొక్క పొడవును పొడిగించడం మరియు లైన్‌విడ్త్ సన్నగా ఉండటం అవసరం.చలనచిత్రం యొక్క ఏకరూపత మరియు వైరింగ్ యొక్క నాణ్యతను నిర్ధారించడానికి, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క స్వచ్ఛతను కూడా తదనుగుణంగా పెంచడం అవసరం.అందువల్ల, స్పుటర్డ్ గ్లాస్ సబ్‌స్ట్రేట్ పరిమాణం మరియు వినియోగ పర్యావరణం ప్రకారం, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క స్వచ్ఛత 99.99% - 99.999% లేదా అంతకంటే ఎక్కువ ఉండాలి.

మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం స్పుట్టరింగ్‌లో కాథోడ్ మూలంగా ఉపయోగించబడుతుంది.ఘన మరియు ఆక్సిజన్‌లోని మలినాలు మరియు రంధ్రాలలోని నీటి ఆవిరి డిపాజిటెడ్ ఫిల్మ్‌ల యొక్క ప్రధాన కాలుష్య వనరులు.అదనంగా, ఎలక్ట్రానిక్ పరిశ్రమలో, క్షార లోహ అయాన్లు (Na, K) ఇన్సులేషన్ పొరలో మొబైల్ అయాన్లుగా మారడం సులభం కాబట్టి, అసలు పరికరం యొక్క పనితీరు తగ్గుతుంది;యురేనియం (U) మరియు టైటానియం (TI) వంటి మూలకాలు α X- రే విడుదల చేయబడతాయి, దీని ఫలితంగా పరికరాల మృదువైన విచ్ఛిన్నం అవుతుంది;ఐరన్ మరియు నికెల్ అయాన్లు ఇంటర్‌ఫేస్ లీకేజీకి మరియు ఆక్సిజన్ మూలకాల పెరుగుదలకు కారణమవుతాయి.కాబట్టి, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం యొక్క తయారీ ప్రక్రియలో, లక్ష్యంలో వాటి కంటెంట్‌ను తగ్గించడానికి ఈ అశుద్ధ మూలకాలను ఖచ్చితంగా నియంత్రించాల్సిన అవసరం ఉంది.

　　2. ధాన్యం పరిమాణం మరియు పరిమాణం పంపిణీ

సాధారణంగా, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం పాలీక్రిస్టలైన్ నిర్మాణం, మరియు ధాన్యం పరిమాణం మైక్రాన్ నుండి మిల్లీమీటర్ వరకు ఉంటుంది.ప్రయోగాత్మక ఫలితాలు చక్కటి ధాన్యం లక్ష్యం యొక్క స్పుట్టరింగ్ రేటు ముతక ధాన్యం లక్ష్యం కంటే వేగంగా ఉందని చూపిస్తుంది;చిన్న ధాన్యం పరిమాణం తేడాతో లక్ష్యం కోసం, డిపాజిట్ చేయబడిన ఫిల్మ్ యొక్క మందం పంపిణీ కూడా మరింత ఏకరీతిగా ఉంటుంది.

　　3. క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్

లక్ష్య పరమాణువులు స్పుట్టరింగ్ సమయంలో షట్కోణ దిశలో పరమాణువుల దగ్గరి అమరిక యొక్క దిశలో ప్రాధాన్యతతో చిమ్మడం సులభం కనుక, అత్యధిక స్ఫుటరింగ్ రేటును సాధించడానికి, లక్ష్యం యొక్క క్రిస్టల్ నిర్మాణాన్ని మార్చడం ద్వారా స్పుట్టరింగ్ రేటు తరచుగా పెరుగుతుంది.లక్ష్యం యొక్క స్ఫటిక దిశ కూడా స్పుటర్డ్ ఫిల్మ్ యొక్క మందం ఏకరూపతపై గొప్ప ప్రభావాన్ని చూపుతుంది.అందువల్ల, చలనచిత్రం యొక్క స్పుట్టరింగ్ ప్రక్రియ కోసం నిర్దిష్ట క్రిస్టల్ ఆధారిత లక్ష్య నిర్మాణాన్ని పొందడం చాలా ముఖ్యం.

　　4. సాంద్రత

స్పుట్టరింగ్ పూత ప్రక్రియలో, తక్కువ సాంద్రత కలిగిన స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం బాంబు దాడి చేయబడినప్పుడు, లక్ష్యం యొక్క అంతర్గత రంధ్రాలలో ఉన్న వాయువు అకస్మాత్తుగా విడుదల చేయబడుతుంది, ఫలితంగా పెద్ద-పరిమాణ లక్ష్య కణాలు లేదా కణాలు స్ప్లాష్ అవుతాయి లేదా ఫిల్మ్ మెటీరియల్ బాంబు దాడికి గురవుతుంది. ఫిల్మ్ ఏర్పడిన తర్వాత ద్వితీయ ఎలక్ట్రాన్‌ల ద్వారా, కణ స్ప్లాషింగ్ ఫలితంగా.ఈ కణాలు కనిపించడం వల్ల సినిమా నాణ్యత తగ్గుతుంది.లక్ష్యం ఘనంలో రంధ్రాలను తగ్గించడానికి మరియు చలనచిత్ర పనితీరును మెరుగుపరచడానికి, స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం సాధారణంగా అధిక సాంద్రత కలిగి ఉండాలి.మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం కోసం, దాని సాపేక్ష సాంద్రత 98% కంటే ఎక్కువగా ఉండాలి.

　　5. లక్ష్యం మరియు చట్రం యొక్క బైండింగ్

సాధారణంగా, మాలిబ్డినం స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం తప్పనిసరిగా ఆక్సిజన్ లేని రాగి (లేదా అల్యూమినియం మరియు ఇతర పదార్థాలు) చట్రంతో స్పుట్టరింగ్ చేయడానికి ముందు కనెక్ట్ చేయబడాలి, తద్వారా స్పుట్టరింగ్ ప్రక్రియలో లక్ష్యం మరియు చట్రం యొక్క ఉష్ణ వాహకత బాగుంటుంది.బైండింగ్ తర్వాత, రెండు బంధం లేని ప్రాంతం 2% కంటే తక్కువగా ఉందని నిర్ధారించడానికి అల్ట్రాసోనిక్ తనిఖీని తప్పనిసరిగా నిర్వహించాలి, తద్వారా పడిపోకుండా అధిక-పవర్ స్పుట్టరింగ్ యొక్క అవసరాలను తీర్చవచ్చు.